Résultats de la recherche pour "DRAM"
2026-06-06 13:43

L’action Micron chute de 13,25% alors que des analystes avertissent que les prix des puces mémoire pourraient atteindre un pic à la mi-2026

D’après Barron’s, l’action Micron Technologies (MU-US) a chuté de 13,25 % à 864,01 dollars le vendredi 5 juin, alors que les investisseurs s’inquiètent du fait que le cycle de prix des puces mémoire pourrait toucher à sa fin. L’analyste de Raymond James, Kal Ackerman, prévoit que les prix de vente moyens des DRAM et des NAND atteindront un pic d’ici le milieu de 2026, contredisant le consensus de Wall Street selon lequel les écarts offre-demande persisteront jusqu’au milieu de 2027.
2026-06-04 23:37

Micron chute de 7,74 % le 4 juin alors qu’un analyste avertit que les prix de la DRAM et de la NAND pourraient atteindre un pic à la mi-2026

D’après Barron’s, l’analyste de Raymond James, Karl Ackerman, a averti le 4 juin que les prix moyens de vente des DRAM et des NAND pourraient atteindre un pic à la mi-2026, plus tôt que les attentes du marché grand public. L’avertissement a fait chuter Micron (MU) de 7,74 % à 996 dollars par action, effaçant 94,24 milliards de dollars de valeur boursière — la plus forte perte en une seule journée de l’entreprise, à ce jour. Ackerman prévoit que les prix des deux segments, DRAM et NAND, baisseron
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MU-12,68%
DRAM-14,01%
2026-06-04 19:01

Morgan Stanley double l'objectif de prix de Micron à 1 050 $, relève SanDisk à 1 750 $ dans un contexte de pénurie de mémoire sur 2 à 3 ans

D’après le dernier rapport de Morgan Stanley, la société de courtage a doublé l’objectif de prix de Micron Technology (MU-US) à 1 050 dollars contre 520 dollars, et a relevé celui de SanDisk Corporation (SNDK-US) à 1 750 dollars contre 1 100 dollars. La firme prévoit que la demande de puces mémoire dépassera l’offre pendant 2 à 3 ans, portée par le déploiement d’infrastructures liées à l’IA. L’analyste Joseph Moore cite des contraintes sur l’offre de DRAM comme principal goulot d’étranglement de
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MS-2,75%
MU-12,68%
DRAM-14,01%
2026-05-27 04:12

Les revenus mondiaux de la DRAM bondissent de 80 % au T1 2026, atteignant $100B sur la demande de puces IA

Selon Counterpoint, les revenus mondiaux de DRAM ont bondi de 80% d’un trimestre sur l’autre au T1 2026, atteignant près de 100 milliards de dollars et un record historique. Cette hausse a été portée par une forte demande du marché, la hausse des prix de la mémoire et l’adoption accrue de la mémoire à bande passante élevée (HBM) et de la LPDDR5 dans les infrastructures de centres de données IA. Samsung a conservé sa position de leader, suivi par SK Hynix et Micron.
2026-05-19 03:37

La section Actions sur contrats CFD de Gate est désormais en ligne avec 53 paires de négociation, et prend en charge un levier fixe multiplié par 4

La section Actions CFD de Gate est désormais en ligne avec 53 paires de trading CFD, offrant un levier fixe de 4x. Les paires lancées incluent notamment SHLD (GLOBAL X ETF de défense et technologie), DRAM (ETF mémoire Roundhill), GME (GameStop), NBIX (sciences biologiques de la neuroendocrinologie), BAX (Baxter International), KMI (Kinder Morgan), CFG (Citizens Financial Group), Z (Groupe Zillow), DVN (Devon Energy) et ADP (Automatic Data Processing), entre autres. Le montant minimal de chaque o
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SHLD-1,38%
DRAM-7,76%
CFG-6,68%
2026-05-18 06:25

La section « actions de contrats de porte » lancera le 18 mai les contrats perpétuels DRAM, HIMS, SHLD, IWM et FLNC, avec un levier allant de 1 à 20x, pour des transactions sur marge.

Gate News 消消息, selon l’annonce officielle de Gate du 18 mai 2026 La section actions de contrats de Gate lancera le 18 mai 2026 à 14:30 (UTC+8) le trading au comptant (perp) des contrats réels de DRAM (ETF sur la puce de stockage de type Lenchir), HIMS (Santé Hims), SHLD (ETF mondial X sur la technologie de la défense), IWM (ETF du Rassell 2000 de BlackRock), FLNC (énergie de France) en mode contrats perp, avec prise en charge du règlement en USDT, offrant des opérations Long et Short avec un lev
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DRAM-7,76%
HIMS-4,99%
SHLD-1,38%
IWM-2,2%
2026-05-18 06:11

Nvidia devrait dépasser Apple en tant que plus grand utilisateur de LPDDR d’ici 2027, la capacité pouvant atteindre 6,041 milliard de Go

D’après Hana Securities et Citrini Research, Nvidia devrait devenir le plus grand utilisateur de DRAM à faible consommation (LPDDR) en 2027, porté par la forte hausse de la demande de serveurs d’IA. La capacité de LPDDR de Nvidia est estimée à passer de 3,144 milliards de GB en 2026 à 6,041 milliards de GB en 2027, dépassant Apple et Samsung Electronics, et représentant 36% de l’offre mondiale totale. Les analystes ont attribué ce changement à des systèmes d’IA plus récents comme la Vera Rubin d
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NVDA-5,64%
2026-05-16 15:21

Un investisseur particulier achète 55 parts du nouvel ETF sur la mémoire d’IA le 11 mai, en y allouant 7% de son portefeuille à la DRAM

Le 11 mai, Brian Emes, un responsable de magasin de détail âgé de 43 ans à Lethbridge, en Alberta, a acheté 55 actions du Roundhill Memory ETF (DRAM), qui n’avait été lancé qu’au début du mois d’avril. La position représente désormais environ 7 % de son portefeuille, ce qui en fait un pari concentré sur l’intelligence artificielle et les valeurs des puces mémoire. Emes a effectué cet achat à partir de discussions sur des fils Reddit et de vidéos YouTube mettant en avant la demande dopée par l’IA
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2026-05-15 12:58

L’évolution des agents IA provoque une pénurie de DRAM à 30-50%, un prochain pic de prix se profile en 2027 : Guotai Haitong

D’après Guru Club, le 15 mai, une étude de Guotai Haitong Securities a révélé que l’inflation des chaînes d’approvisionnement alimentée par l’IA remodèle l’allocation des semi-conducteurs. Les pénuries traditionnelles d’approvisionnement en DRAM ont atteint 30-50%, les prix grimpant à mesure que les accélérateurs d’IA se disputent les ressources HBM. Pendant ce temps, Amazon AWS et Google Cloud ont mis fin à leur baisse de tarification sur deux décennies pour augmenter leurs frais, signalant que
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2026-05-13 06:31

Samsung prévoit une production de masse au T4 d’unités mémoire pour serveurs d’IA CXL 3.1

D’après The Korea Herald, Samsung Electronics prévoit de lancer la production en masse de ses modules mémoire CXL 3.1 pour des serveurs d’IA au quatrième trimestre, après des expéditions d’échantillons au troisième trimestre. Le module CMM-D 3.1 combine de la DRAM et un contrôleur CXL sur une seule carte, avec un support jusqu’à 1 téraoctet et une bande passante de 72 gigaoctets par seconde sur PCIe 6.0. Samsung avait auparavant expédié des échantillons CXL 2.0 à plus de 40 entreprises, dont Mic
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