De acordo com a Counterpoint, a receita global de DRAM disparou 80% em termos trimestrais no 1.º trimestre de 2026, atingindo quase 100 mil milhões de dólares e alcançando um máximo histórico. O aumento foi impulsionado pela forte procura do mercado, pela subida dos preços da memória e pela maior adopção de high-bandwidth memory (HBM) e LPDDR5 na infra-estrutura de data centers de IA. A Samsung manteve a sua posição de liderança, seguida pela SK Hynix e pela Micron.

A secção de ações dos contratos CFD da Gate já foi lançada com 53 pares de negociação de CFD, com alavancagem fixa de 4x. Os pares lançados incluem SHLD (GLOBAL X ETF de defesa), DRAM (Roundhill Memory ETF), GME (GameStop), NBIX (Neurocrine Biosciences), BAX (Baxter International), KMI (Kinder Morgan), CFG (Citizens Financial Group), Z (Zillow Group), DVN (Devon Energy), ADP (Automatic Data Processing) e outros. A quantidade mínima de ordens para cada par é de 0,1. Os contratos CFD são produtos

Notícia da Gate 消息, segundo um anúncio oficial da Gate a 18 de maio de 2026 A secção de ações do contrato da Gate será disponibilizada para lançamento a 18 de maio de 2026 às 14:30 (UTC+8) com negociação à vista em tempo real de contratos perpétuos dos seguintes instrumentos: DRAM (ETF de chips de armazenamento de longevidade), HIMS (saúde Hims), SHLD (ETF de tecnologia de defesa do Universo X), IWM (ETF iShares Russell 2000), FLNC (energia Fluens), com liquidação em USDT, oferecendo operações d

De acordo com a Hana Securities e a Citrini Research, a Nvidia deverá tornar-se no maior utilizador de DRAM de baixo consumo (LPDDR) em 2027, impulsionada pela forte procura de servidores para IA. A capacidade de LPDDR da Nvidia é estimada em 3,144 mil milhões de GB em 2026, aumentando para 6,041 mil milhões de GB em 2027, ultrapassando a Apple e a Samsung Electronics e representando 36% do total global de fornecimento. Os analistas atribuíram a mudança a sistemas de IA mais recentes como a Vera

Em 11 de maio, Brian Emes, um gestor de loja de retalho de 43 anos em Lethbridge, Alberta, comprou 55 ações do Roundhill Memory ETF (DRAM), que tinha sido lançado apenas no início de abril. A posição representa agora aproximadamente 7% da sua carteira, tornando-se uma aposta concentrada em ações de inteligência artificial e em chips de memória. Emes fez a compra com base em discussões em fóruns do Reddit e em vídeos do YouTube que destacavam a procura impulsionada por IA por chips de memória, ve

De acordo com o Guru Club, a 15 de maio, a investigação da Guotai Haitong Securities concluiu que a inflação nas cadeias de abastecimento impulsionada por IA está a remodelar a alocação de semicondutores. As tradicionais falhas de abastecimento de DRAM atingiram 30-50%, com os preços a disparar à medida que os aceleradores de IA competem pelos recursos de HBM. Entretanto, a Amazon AWS e a Google Cloud romperam a queda de preços de duas décadas para aumentar as taxas, sinalizando que a pressão de

Segundo o The Korea Herald, a Samsung Electronics planeia iniciar a produção em massa dos seus módulos de memória CXL 3.1 para servidores de IA no quarto trimestre, na sequência de envios de amostras no terceiro trimestre. O módulo CMM-D 3.1 combina DRAM e um controlador CXL numa única placa, suportando até 1 terabyte com uma largura de banda de 72 gigabytes por segundo no PCIe 6.0. A Samsung já enviou amostras de CXL 2.0 para mais de 40 empresas, incluindo a Microsoft e a Amazon.

De acordo com a Citi, a corretora subiu o preço-alvo da SK Hynix (000660.KS) para 3,1 milhões de won, de 1,7 milhões de won, a 12 de maio, citando tendências fortes de preços na memória e um crescimento de HBM (high bandwidth memory) superior ao esperado na segunda metade de 2026. A Citi prevê que a SK Hynix beneficie de um aumento de 30% em cadeia no preço da HBM no Q4 de 2026, apoiado por preços robustos de DRAM impulsionados pelos desenvolvimentos recentes em IA. A corretora manteve a recomen

De acordo com a Bloomberg Intelligence, o Roundhill Memory ETF (DRAM) disparou 6,44% para 56,20 dólares na segunda-feira, ultrapassando 6,5 mil milhões de dólares em ativos em apenas 36 dias de negociação — o ETF mais rápido de sempre a atingir esse marco, superando os ETFs sobre Bitcoin, que demoraram 43 a 51 dias. A subida foi impulsionada pela forte procura por chips de memória para IA, com a Micron Technology, a maior posição do ETF (27%), a valorizar 5% na segunda-feira, após um avanço de 1

De acordo com o analista da Bloomberg Eric Balchunas, o Roundhill Memory ETF (DRAM) ultrapassou os 6,5 mil milhões de dólares em ativos em apenas 36 dias, quebrando o recorde anterior detido pelo Bitcoin spot ETF IBIT da BlackRock, que levou 43 dias a atingir o mesmo marco. O DRAM subiu 13% na sexta-feira e atraiu aproximadamente 1 mil milhões de dólares em entradas, impulsionando o seu crescimento acelerado de ativos.