Samsung, SK Hynix e Micron enfrentam uma ação coletiva federal nos EUA, acusados de conspirar para criar uma crise de fornecimento de memória. A ação alega que as três empresas, sob o pretexto de produzir HBM, reduziram artificialmente a produção de DRAM genérica como DDR3 e DDR4. Atualmente, os autores estão invocando o precedente de multas impostas pelo Departamento de Justiça dos EUA a empresas relacionadas nos anos 2000 para apoiar esta alegação.

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