Згідно з Counterpoint, глобальні надходження від DRAM зросли на 80% у квартальному обчисленні у Q1 2026, досягнувши майже 100 мільярдів доларів і встановивши рекорд за весь час. Прискорення було зумовлене сильним попитом на ринку, зростанням цін на пам’ять, а також збільшенням впровадження high-bandwidth memory (HBM) і LPDDR5 в інфраструктурі AI дата-центрів. Samsung зберегла лідерство, а за нею йшли SK Hynix і Micron.

У розділі акцій Gate CFD-контрактів уже запущено 53 CFD-торгові пари, які підтримують фіксований кредитний важіль у 4 рази. До числа запущених торгових пар належать SHLD (GLOBAL X defense tech ETF), DRAM (Roundhill ETF з пам’яттю), GME (GameStop), NBIX (нейроендокринна біологічна наука), BAX (BAX International), KMI (Kinder Morgan), CFG (Citizen Financial Group), Z (Zillow Group), DVN (Devon Energy), ADP (Automatic Data Processing) та інші. Для кожної торгової пари мінімальний обсяг для одного з

Gate News повідомлення, згідно з офіційним оголошенням Gate від 18 травня 2026 року Розділ Gate для контрактів на акції буде запущено з 18 травня 2026 року о 14:30 (UTC+8) з первинним лістингом DRAM (ETF на чіпи пам’яті Lonchill), HIMS (HIMS), SHLD (ETF Global X Defense Tech), IWM (ETF iShares Russell 2000 від BlackRock) і FLNC (ETF Fluence Energy) — ф’ючерси з безпосереднім виконанням (perpetual) з підтримкою розрахунків у USDT, із можливістю позицій у діапазоні 1–20 разів як для довгих, так і

За даними Hana Securities і Citrini Research, Nvidia, як очікується, стане найбільшим користувачем low-power DRAM (LPDDR) у 2027 році завдяки сплеску попиту на AI-сервери. Обсяг потужностей LPDDR Nvidia оцінюють у зростанні з 3,144 мільярда GB у 2026 році до 6,041 мільярда GB у 2027 році, що перевищить Apple і Samsung Electronics та становитиме 36% від світових загальних поставок. Аналітики пояснили цей зсув появою новіших AI-систем на кшталт Vera Rubin від Nvidia, які споживають значно більше п

11 травня Брайан Емес, 43-річний керівник роздрібного магазину з Летбріджа, провінція Альберта, придбав 55 акцій Roundhill Memory ETF (DRAM), який стартував лише на початку квітня. Нині ця позиція становить приблизно 7% його портфеля, тож це зосереджена ставка на акції, пов’язані з штучним інтелектом і чипами пам’яті. Емес зробив покупку, спираючись на обговорення в тредах Reddit і відео на YouTube, де підкреслювали попит на пам’яті, зумовлений AI. Він розглядав це як торгову можливість, яку не

За даними Guru Club, 15 травня дослідження Guotai Haitong Securities встановило, що інфляція в ланцюгах постачання, керована ШІ, перебудовує розподіл у секторі напівпровідників. Традиційні дефіцити DRAM уже сягнули 30-50%, а ціни стрімко зростають, оскільки AI-акселератори змагаються за ресурси HBM. Тим часом Amazon AWS і Google Cloud зламали дворічнева цінову тенденцію до зниження, щоб підняти комісії, сигналізуючи про те, що тиск на витрати рухається далі — до споживачів. Очікується, що еволюц

За даними The Korea Herald, Samsung Electronics планує розпочати масове виробництво модулів пам’яті CXL 3.1 для AI-серверів у четвертому кварталі після тестових відвантажень у третьому кварталі. Модуль CMM-D 3.1 поєднує DRAM і контролер CXL на одній платі, підтримуючи до 1 терабайта з пропускною здатністю 72 гігабайти за секунду на PCIe 6.0. Раніше Samsung відвантажила зразки CXL 2.0 понад 40 компаніям, зокрема Microsoft і Amazon.

За даними Citi, брокерська компанія підвищила цільову ціну для SK Hynix (000660.KS) до 3,1 мільйона вонів з 1,7 мільйона вонів 12 травня, посилаючись на сильні тенденції з ціноутворення на пам’ять і на більш швидке, ніж очікувалося, зростання HBM (high bandwidth memory) у другому півріччі 2026 року. Citi очікує, що SK Hynix отримає вигоду від 30% квартального зростання цін на HBM у Q4 2026, що підтримується міцним підвищенням цін на DRAM завдяки нещодавнім розробкам у сфері ШІ. Брокерська компан

Згідно з Bloomberg Intelligence, Roundhill Memory ETF (DRAM) виріс на 6,44% до $56,20 у понеділок, подолавши $6,5 мільярда активів менш ніж за 36 торгових днів — це найшвидший біржовий інвестфонд, який коли-небудь досягав цієї позначки, випередивши Bitcoin ETFs, котрі витратили 43–51 день. Розгін був зумовлений сильним попитом на чипи пам’яті для ШІ: Micron Technology, найбільший пакет ETF (27%), у понеділок піднялася на 5% після зростання на 13% у п’ятницю, яке привернуло $1 мільярд приток. D.A

За даними аналітика Bloomberg Еріка Балчуна, Roundhill Memory ETF (DRAM) досяг понад $6,5 мільярда активів лише за 36 днів, побивши попередній рекорд, який належав спотовому біткоїн-ETF IBIT від BlackRock — йому знадобилося 43 дні, щоб досягти тієї ж позначки. У п’ятницю DRAM виріс на 13% і залучив приблизно $1 мільярд чистих надходжень, що й зумовило його швидке зростання активів.