据彭博 ETF 分析师 Eric Balchunas 称，SpaceX 2x 杠杆 ETF 在 6 月 16 日首个交易日录得合计成交量超过 10 亿美元。LeverageShares 的产品贡献了 2.81 亿美元，创下自比特币现货 ETF IBIT 上市以来首日 ETF 最高成交量纪录，并且超过了 ETHA 和 DRAM 等产品。11 只跟踪 SpaceX 的杠杆 ETF 同步首发，其中即便是成交量最低的产品，其首日交易额也约为 2600 万美元，远高于传统 ETF 在“成功”上市时的 100 万美元基准。

Aletheia Capital 在 6 月 16 日将 SK Hynix 的目标股价上调至 5.3 million 韩元，相当于 3,500 美元，意味着从当前水平大约有 125% 的上涨空间。此次上调基于 2027 年远期自由现金流的 10 倍，以及市盈率估值倍数 10 倍，驱动因素包括 AI 硬件内存需求的激增，并预计 DRAM 的平均销售价格将在 2027 年前持续上升。该目标显著高于市场一致预期的 2.6-2.7 million 韩元。

据 MarketWatch 报道，芯片制造商 Micron Technology（NASDAQ: MU）周一上涨 10.8%，至每股 $1,087.99。华尔街分析师对该公司的前景愈发乐观。TD Cowen 分析师 Krish Sankar 于周日将其目标价从 $660 上调至 $1,500；RBC Capital Markets 分析师 Srini Pajjuri 则将其从 $525 上调至 $1,200，意味着约 20% 的上涨潜力。两位分析师都指出，受扩展的 AI 基础设施和具备代理能力的 AI 研发推动，对存储器的持续需求。Pajjuri 还表示，目前的 DRAM 周期已进入第 12 个季度，可能还会再延续五到六个季度，而历史周期通常为八到九个季度。

据 Citrini Research 称，6 月 16 日，AMD 和 Apple 正在同步推进基于闪存的替代方案，用于在 AI 产品中取代 DRAM。AMD 收购 MEXT 以优化接近 DRAM 水平的闪存储性能，从而降低数据中心的内存成本；Apple 部署了“LLM in a flash”技术，在设备端实现类似的优化。 Citrini 最新研究表明，AI 推理中的 KV cache 需求以及 HBM 占用 25% 的 DRAM 产能，带来了显著的内存成本压力。闪存存储成本仅为 DRAM 的 1/55，并通过控制器优化、NAND 堆叠和单元模式调整，为边缘 AI 提供了可行的容量和带宽替代方案。

据摩根士丹利研究，过去一年全球存储芯片价格飙升逾六倍，原因是人工智能需求增长快于供给。根据 TrendForce 数据，存储市场预计将从 2025 年的 2200 亿美元膨胀至 2026 年的 8900 亿美元。 摩根士丹利警告称，到 2027 年，PC DRAM 将面临 15% 的供给短缺，而智能手机 DRAM 将面临 12% 的缺口。为维持利润率，PC 平均售价可能需要上调 67%，智能手机价格上调 34%，涨幅是疫情期间通胀的 8 到 9 倍。

据 Stocktwits 报道，AMD 周一宣布已收购 MEXT，这是一家由 AI 驱动的内存优化公司，旨在帮助企业在数据中心应对内存限制。MEXT 的技术使用预测式 AI 模型，让闪存存储的功能更像 DRAM，使组织能够在提升性能与性价比的同时，扩大可用内存容量，并降低基础设施成本。 消息公布后，AMD 股价上涨 7.5%。该公司的市值首次超过 9000 亿美元，部分原因是近期 AI 基础设施产品所带来的势头，这些产品与英伟达的产品形成竞争。

根据 Critini Research 分析师 Jukan 于 6 月 14 日表示，HBM（高带宽内存）正在从根本上重塑 DRAM 市场，打破了持续数十年的成本轨迹。1957 年至约 2020 年期间，DRAM 每吉字节的成本通常每五年下降一个数量级。AI 对 HBM 的爆炸式需求打破了这一模式，迫使制造商将产能转向 HBM 更复杂的工艺以及更大的硅占用面积，从而造成 DRAM 供给紧张，并引发价格反转。数据显示，在经历了数十年的下跌后，DRAM 价格在 2023-2024 年出现了逆转，表明 AI 驱动的内存超级周期正在形成。

据 Guru Club 称，6 月 13 日 DRAM 内存价格飙升至 300%，加剧了人工智能热潮期间的全球内存短缺。

据 BlockBeats 报道，Micron Technology 于 6 月 12 日周四收盘时上涨 11.7%，在市场对存储周期可持续性的预期增强的背景下，带动全球内存芯片板块走强。 摩根士丹利分析师将近期回撤描述为周期性修正而非趋势反转，并指出持续的 AI 基础设施建设推动 DRAM 需求；同时认为内存是推动 AI 算力扩张的关键瓶颈。DRAM 价格已进入快速上升趋势，长期供货协议开始锁定产能，使行业的动态从由现货驱动转向由合约驱动。

据 Stocktwits 报道，周四内存类股票大幅反弹，原因是 SanDisk 上涨 14.5% 至创下历史新高 1,881.51 美元，领先受益于市场对潜在美伊和平协议的乐观情绪。总统 Donald Trump 表示，两国可能最早在本周末签署一项协议，从而提振半导体行业整体情绪。Micron 股价上涨 11.7%，Western Digital 上涨 8%，Seagate 上涨 6.4%，Roundhill Memory ETF（DRAM）上涨 13.5%。周五在首尔早盘交易中，Samsung 和 SK Hynix 股价分别上涨 11% 和 9%。