DRAM

Roundhill Memory ETF Ціна

Закрито
DRAM
₴2 326,35
-₴96,95(-4,00%)

*Дані востаннє оновлено: 2026-05-23 16:05 (UTC+8)

Станом на 2026-05-23 16:05 Roundhill Memory ETF (DRAM) має ціну ₴2 326,35, ринкова капіталізація становить ₴108,05B, співвідношення ціни до прибутку — 0,00, дивідендна прибутковість — 0,00%. Сьогодні ціна акцій коливалася між ₴2 324,10 та ₴2 403,37. Поточна ціна на 0,09% вища за денний мінімум та на 3,20% нижча за денний максимум, з обсягом торгів 20,84M. За останні 52 тижні DRAM торгувався в діапазоні від ₴2 055,42 до ₴2 426,00, а поточна ціна знаходиться на відстані -4,10% від 52-тижневого максимуму.

Ключові показники DRAM

Вчорашнє закриття₴2 405,59
Ринкова капіталізація₴108,05B
Обсяг20,84M
Співвідношення P/E0,00
Дивідендна прибутковість (TTM)0,00%
Чистий прибуток (фінансовий рік)₴0,00
Дохід (фінансовий рік)₴0,00
Оцінка виручки₴0,00
Кількість акцій в обігу44,91M
Beta (1 рік)0

Про DRAM

DRAM прагне надати інвесторам цілеспрямовану експозицію до глобальної індустрії напівпровідникової пам’яті. Створення портфеля спрямоване на підкреслення провідних компаній із значною часткою ринку та доходів у продуктах напівпровідникової пам’яті та пов’язаних технологіях. Продукти пам’яті включають високошвидкісну пам’ять, динамічну пам’ять з довільним доступом (DRAM), NAND-флеш-пам’ять та твердотільні накопичувачі з технологією NAND, NOR-флеш-пам’ять, жорсткі диски та спеціалізовані або вбудовані рішення пам’яті. Ця орієнтація спрямована на надання цілеспрямованої експозиції великих капіталів, що вважається критичним для підтримки використання ШІ. Для реалізації своєї активної інвестиційної стратегії фонд може тримати акції або деривативи, такі як свопи або форварди. Ваги у портфелі базуються на модифікованій методології ринкової капіталізації з обмеженням у 25% на одну компанію і відображають оцінку радників щодо частки кожної компанії на ринку та доходів у секторі пам’яті. Перебалансування відбувається щонайменше щоквартально.
СекторФінансові послуги
ІндустріяУправління активами
Штаб-квартираNew York,NY,US

Дізнатися більше про Roundhill Memory ETF (DRAM)

Статті Gate Learn

Останні оновлення Micron Technology (NASDAQ: MU) і аналіз динаміки вартості акційКомплексний аналіз Micron Technology (NASDAQ: MU) охоплює поточні бізнес-активності, вплив попиту на пам’ять, сформованого ШІ, на котирування акцій, ринкові перспективи та можливості для майбутніх інвестицій. Матеріал містить корисні орієнтири для інвесторів, які розглядають довгострокові стратегії.2026-01-16
Новий світ екстремальних інвестицій у стисненняУ цій статті розглядається новий підхід до аналізу активів, що виходить за межі традиційної моделі одного активу, і зосереджується на парадигмі MEME-іфікації. Автор детально аналізує структурні зміни глобальних активів під впливом ШІ, підкреслюючи перехід від циклічності, заснованої на фундаментальних показниках, до коротких періодів, якими керують масштабні наративи.2026-02-04
Останні новини щодо акцій MU: Розвиток штучного інтелекту стимулює стрімке зростання Micron TechnologyОзнайомтеся з актуальним фінансовим звітом Micron Technology (MU), аналізом динаміки акцій і прогнозом розвитку бізнесу, зумовленого впровадженням штучного інтелекту, щоб інвестори могли виявити перспективні напрямки для інвестування.2025-09-24

Поширені запитання Roundhill Memory ETF (DRAM)

Яка сьогодні біржова ціна Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x
Roundhill Memory ETF (DRAM) зараз торгується за ціною ₴2 326,35, 24-годинна зміна становить -4,00%. Діапазон торгів за останні 52 тижні: від ₴2 055,42 до ₴2 426,00.

Які найвищі та найнижчі ціни за 52 тижні для Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Що таке співвідношення ціни до прибутку (P/E) для Roundhill Memory ETF (DRAM)? Що воно означає?

x

Яка ринкова капіталізація Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Який розмір останнього квартального прибутку на акцію (EPS) для Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Чи варто зараз купити чи продати Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Які фактори можуть впливати на ціну акцій Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Як купити акції Roundhill Memory ETF (DRAM)?

x

Попередження про ризики

Ринок акцій пов’язаний із високим рівнем ризику та цінової волатильності. Вартість ваших інвестицій може як зростати, так і знижуватися, і ви можете не повернути повну суму вкладених коштів. Минулі результати не є надійним показником майбутніх результатів. Перед ухваленням будь-яких інвестиційних рішень уважно оцініть свій інвестиційний досвід, фінансовий стан, інвестиційні цілі та рівень толерантності до ризику, а також проведіть власне дослідження. У разі потреби зверніться до незалежного фінансового консультанта.

Застереження

Вміст цієї сторінки надається виключно з інформаційною метою і не є інвестиційною порадою, фінансовою порадою чи торговою рекомендацією. Gate не несе відповідальності за будь-які втрати або збитки, що виникли внаслідок таких фінансових рішень. Зверніть увагу, що Gate може не надавати повний сервіс на окремих ринках і в окремих юрисдикціях, зокрема, але не обмежуючись, Сполученими Штатами Америки, Канадою, Іраном та Кубою. Для отримання додаткової інформації щодо обмежених локацій, будь ласка зверніться до Користувацької угоди.

Останні новини Roundhill Memory ETF (DRAM)

2026-05-19 03:37Розділ акцій для CFD-контрактів на Gate вже запущено з 53 торговими парами, доступне використання фіксованого плеча 4xПовідомлення Gate News, згідно з офіційним оголошенням Gate У розділі акцій CFD-контрактів на Gate вже доступні 53 CFD-торгові пари, які підтримують фіксований кредитний плече 4х. До нових торгових пар увійшли SHLD (GLOBAL X DefenseTech ETF), DRAM (Roundhill Memory ETF), GME (GameStop), NBIX (Neurocrine Biosciences), BAX (Baxter International), KMI (Kinder Morgan), CFG (Citizens Financial Group), Z (Zillow Group), DVN (Devon Energy), ADP (Automatic Data Processing) тощо. Для кожної торгової пари мінімальна сума для подачі ордера становить 0,1. CFD-контракти — це похідні інструменти у вигляді контрактів на різницю вартості (差价合约), що надають доступ до традиційних фінансових активів і охоплюють метали, валютні пари, індекси, сировинні товари та популярні акції США.2026-05-18 06:25Зона акційних контрактів Gate буде вперше запущена 18 травня з перпетуальними контрактами на DRAM, HIMS, SHLD, IWM, FLNC, що підтримують торгівлю з плечем 1–20xGate News повідомлення, згідно з офіційним оголошенням Gate від 18 травня 2026 року Розділ Gate для контрактів на акції буде запущено з 18 травня 2026 року о 14:30 (UTC+8) з первинним лістингом DRAM (ETF на чіпи пам’яті Lonchill), HIMS (HIMS), SHLD (ETF Global X Defense Tech), IWM (ETF iShares Russell 2000 від BlackRock) і FLNC (ETF Fluence Energy) — ф’ючерси з безпосереднім виконанням (perpetual) з підтримкою розрахунків у USDT, із можливістю позицій у діапазоні 1–20 разів як для довгих, так і для коротких. DRAM — перший у світі ETF виключно на тему чипів пам’яті: у найбільших частках Micron, SK hynix, Samsung Electronics та інші гіганти зберігання даних; фокус на DRAM, NAND флеш-пам’яті та HBM високошвидкісній пам’яті. HIMS — американська онлайн-платформа телемедицини для дистанційного лікування. SHLD пасивно відстежує глобальний індекс оборонно-промислових компаній, із найбільшими частками оборонних підприємств США. IWM відстежує індекс Russell 2000 і охоплює 2000 американських компаній зі зростанням із середньою ринковою капіталізацією. FLNC — світовий лідер систем зберігання енергії, основний бізнес — обладнання для зберігання енергії з великих літієвих батарей.2026-05-18 06:11Nvidia має обігнати Apple як найбільший користувач LPDDR до 2027 року, обсяг здатен досягти 6,041 млрд ГБЗа даними Hana Securities і Citrini Research, Nvidia, як очікується, стане найбільшим користувачем low-power DRAM (LPDDR) у 2027 році завдяки сплеску попиту на AI-сервери. Обсяг потужностей LPDDR Nvidia оцінюють у зростанні з 3,144 мільярда GB у 2026 році до 6,041 мільярда GB у 2027 році, що перевищить Apple і Samsung Electronics та становитиме 36% від світових загальних поставок. Аналітики пояснили цей зсув появою новіших AI-систем на кшталт Vera Rubin від Nvidia, які споживають значно більше пам’яті, ніж традиційні пристрої.2026-05-16 15:21Роздрібний інвестор купує 55 акцій нового ETF на пам’ять для ШІ 11 травня, виділяє 7% портфеля на DRAM11 травня Брайан Емес, 43-річний керівник роздрібного магазину з Летбріджа, провінція Альберта, придбав 55 акцій Roundhill Memory ETF (DRAM), який стартував лише на початку квітня. Нині ця позиція становить приблизно 7% його портфеля, тож це зосереджена ставка на акції, пов’язані з штучним інтелектом і чипами пам’яті. Емес зробив покупку, спираючись на обговорення в тредах Reddit і відео на YouTube, де підкреслювали попит на пам’яті, зумовлений AI. Він розглядав це як торгову можливість, яку не міг собі дозволити проґавити.2026-05-15 12:58Еволюція AI-агентів спричиняє дефіцит DRAM до 30–50%, а наступний стрибок цін може насунутися вже в 2027 році: Guotai HaitongЗа даними Guru Club, 15 травня дослідження Guotai Haitong Securities встановило, що інфляція в ланцюгах постачання, керована ШІ, перебудовує розподіл у секторі напівпровідників. Традиційні дефіцити DRAM уже сягнули 30-50%, а ціни стрімко зростають, оскільки AI-акселератори змагаються за ресурси HBM. Тим часом Amazon AWS і Google Cloud зламали дворічнева цінову тенденцію до зниження, щоб підняти комісії, сигналізуючи про те, що тиск на витрати рухається далі — до споживачів. Очікується, що еволюція AI Agent від чату до дій запустить наступний цикл інфляції. Витрати токенів зросли у 300 разів у 2024-2025 роках, причому кожне завдання Agent потребує у десятки разів більше обчислень у бекенді, ніж звичайна розмова. Це стимулюватиме експоненційне зростання попиту на HBM, але розширення пропозиції впирається в «вузькі місця» через споживання пластин і обмеження щодо виходу придатної продукції: відчутного розвантаження потужностей не очікується раніше ніж у 2027-2028 роках.

Гарячі публікації про Roundhill Memory ETF (DRAM)

GateUser-f9ba031c

GateUser-f9ba031c

1 годин тому
#TradFi交易分享挑战 Micron Technology MU Глобальний лідер у всьому ланцюгу виробництва зберігання: єдиний у США виробник, який одночасно має масове виробництво DRAM, NAND і NOR, третя за величиною компанія у світі з виробництва зберігання (після Samsung і SK Hynix), частка на ринку DRAM 16%, NAND 15%. Основний постачальник AI обчислювальної потужності: одна з трьох компаній у світі, здатних масово виробляти HBM, значна перевага технології HBM4, повністю зайняті потужності до 2026 року, глибока інтеграція з платформами наступного покоління GPU, такими як NVIDIA GB300, AMD MI355X. Технологічні бар’єри: провідна у галузі технологія 1-gamma, швидкість оновлення HBM/DRAM/NAND, очевидна цінова перевага. Ключові фінансові показники: суперциклічний період — різке зростання результатів, визначена точка перелому Чистий прибуток, що належить материнській компанії, 137.9 млрд юанів, +772% Валовий прибуток зросла до 74.9%, ефект масштабу + різке зростання цін Валовий прибуток HBM понад 90%, що сприяє загальному зростанню валового прибутку Операційний грошовий потік +266%, досягнув історичного максимуму, вільний грошовий потік стабільний EPS 12.07 юанів, +762%, результати перевищили очікування, значне зростання прибутку на акцію Обсяг поставок HBM 1.2 мільйона пластин, +380% (25 тисяч пластин), попит на HBM3E/HBM4 перевищує пропозицію, замовлення до 2027 року Ключові драйвери та стратегічний прогрес 1. Попит на AI обчислювальну потужність стимулює ринок зберігання Революція HBM: пропускна здатність HBM4 на один чіп до 8.19 ТБ/с, зниження споживання енергії на 30%, стає стандартом для AI тренувальних чіпів, очікуваний обсяг ринку HBM до 2026 року — 15 мільярдів доларів (зростання +300%). Оновлення DDR5/6: попит на DDR5 для AI серверів зростає у 5 разів, частка Micron у поставках DDR5 досягає 70%, ціни зросли на 80% порівняно з минулим роком. 2. Перевернення цінового циклу, розкриття прибутковості Ціни на DRAM: з низької точки у Q1 2025 року до теперішнього зростання на +120%, очікується збереження +80% протягом 2026 року. Премія за HBM: ціна HBM4 до 15 000 доларів за пластину, у 50 разів більше за звичайний DRAM, прибуток від бізнесу HBM Micron становить понад 40%. 3. Стратегічне планування та технологічні бар’єри Розширення потужностей HBM до 2027 року до 3 мільйонів пластин; Новий завод у штаті Арізона запущено з американськими субсидіями; Спільна розробка HBM4E з NVIDIA для закріплення технологічної переваги. $MU
0
0
0
0
WealthCoffee

WealthCoffee

6 годин тому
**【Фінансовий новинний сайт Цайсін】** Вітчизняний лідер у сфері DRAM Longxin Technology оновив 17 травня документи для IPO на технологічній біржі, його результати значно перевищують ринкові очікування, і він буде розглядатися на засіданні 27 травня. Інший лідер у сфері зберігання даних, Changjiang Storage, також завершив реєстрацію консультаційного процесу IPO у Хубейській комісії з цінних паперів, і відповідні акції продовжують активно цікавити ринок.   З початку травня, леверидж-фінансування зосереджено переважно на ключових компаніях у ланцюжку AI та напівпровідників, таких як Zhongji Xuchuang (300308.SZ), Xin Yisheng (300502.SZ) — лідери у сфері оптичних модулів, а також Cambrian (688256.SH), Haiguang Information (688041.SH) — цільові компанії у сфері AI-чипів, що отримали великі потоки капіталу, що відображає спільний пріоритет щодо обчислювального апаратного забезпечення. Серед них особливо виділяються акції у ланцюжку зберігання даних: Lankei Technology (688008.SH), Zhaoyi Innovation (603986.SH), Baiwei Storage (688525.SH), які колективно займають провідні позиції, що відповідає основним напрямкам технологічної галузі. Серед лідерів у сфері оптичних модулів Zhongji Xuchuang, завдяки недавнім потокам капіталу, у недавній час обійшов China Ping An і став найбільшою за чистим притоком леверидж-фінансування акцією року.
0
0
0
0