三星和SK海力士宣布$590B 韩国芯片扩张计划
三星电子、SK海力士和韩国政府周一宣布,计划投资约5900亿美元建设一个新的芯片综合体,包括四家芯片制造厂,旨在五年内将该国动态随机存取存储器(DRAM)产能翻倍。这些投资承诺是总统提出的"三大跨越式发展项目"计划的一部分,旨在增强该国在半导体、人工智能数据中心和机器人领域的能力。这项公告发布之际,云端公司和技术公司激进的AI基础设施支出导致高带宽存储器(HBM)芯片需求激增,供应持续紧张。 三星和SK海力士承诺投资800万亿韩元建设四家新芯片厂 韩国产业部长周一表示,三星和SK海力士计划各自建设两家芯片制造厂,总投资800万亿韩元(5180亿美元)。官方公告发布后,两家公司股价在首尔收复盘中早些时候的跌幅。韩国综合股价指数收盘仅下跌0.2%,此前一度下跌3.4%。 DRAM ETF在美国盘前交易中下跌1.4% Roundhill Memory ETF (DRAM)延续跌势,周一盘前交易中下跌1.4%。三星、SK海力士和美国存储器巨头美光科技是DRAM的前三大持仓股。在美国,投资者周五抛售芯片股并获利了结,此前主要芯片股在美光科技惊人业绩后连续创下新高。 SK海力士准备下月在纳斯达克上
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Lucas Bennett ·17小时前
